Microchip N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7008
- RS-artikelnummer:
- 916-3721
- Tillv. art.nr:
- 2N7008-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
171,80 kr
(exkl. moms)
214,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 200 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 25 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 675 enhet(er) från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 6,872 kr | 171,80 kr |
| 100 + | 6,232 kr | 155,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 916-3721
- Tillv. art.nr:
- 2N7008-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 230mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | 2N7008 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 5.33mm | |
| Längd | 5.08mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.06mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 230mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie 2N7008 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 5.33mm | ||
Längd 5.08mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.06mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
2N7008 N-kanals MOSFET-transistorer
Microchip 2N7008 är en transistor i förstärkningsläge (normalt avstängd) som använder en vertikal DMOS-struktur. Konstruktionen kombinerar effekthanteringsförmågan hos en bipolär transistor med MOS-enheternas höga ingångsimpedans och positiva temperaturkoefficient.
Egenskaper
Fri från sekundär nedbrytning
Krav på strömsnål enhet
Enkel parallell drift
Låg CISS och Fast Switching-hastigheter
Utmärkt termisk stabilitet
Integrerad Source-Drain-diod
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
MOSFET-transistorer, Microchip
Relaterade länkar
- Microchip N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7008
- Microchip N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92
- Microchip N Kanal, MOSFET, 3 A Förbättring, 3 Ben, TO-92
- Microchip N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN2106
- Microchip N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- Microchip N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN10K
- Microchip N Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN0606
- Microchip N Kanal, MOSFET, 350 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN0106