Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000

RS-artikelnummer:: 177-9588
Tillv. art.nr:: 2N7000-G
Tillverkare / varumärke:: Microchip

Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000

Antal (1 påse med 1000 enheter)*

5 040,00 kr

(exkl. moms)

6 300,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per påse*
1000 +	5,04 kr	5 040,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 177-9588
Tillv. art.nr:: 2N7000-G
Tillverkare / varumärke:: Microchip

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Microchip
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	200mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	2N7000
	Kapseltyp	TO-92
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	5.3Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.85V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5.08mm
	Höjd	5.33mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Microchip
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie 2N7000
	Kapseltyp TO-92
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 5.3Ω
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.85V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5.08mm
	Höjd 5.33mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: TW

Mikrochipteknik MOSFET

Microchip Technologys genomgående hålmonterade N-kanaliga MOSFET är en nymodighet med en drain-source-spänning på 60 V och en maximal gate-source-spänning på 30 V. Den har ett drain-source-motstånd på 5 ohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en kontinuerlig dräneringsström på 200 mA och en maximal effektförlust på 1 W. Minsta och högsta drivspänning för denna MOSFET är 4,5V respektive 10V. MOSFET:en är en förstärknings-MOSFET (normalt avstängd) som använder en vertikal DMOS-struktur och en väl beprövad tillverkningsprocess med kiselgrindar. Denna kombination ger en enhet med bipolära transistorers effekthanteringsegenskaper och MOS-enheternas höga ingångsimpedans och positiva temperaturkoefficient. En viktig egenskap hos alla MOS-strukturer är att denna enhet är fri från termisk flykt och termiskt inducerad sekundär nedbrytning. Denna vertikala DMOS FET har optimerats för lägre switch- och ledningsförluster. MOSFET:en ger utmärkt effektivitet och en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Enkel synkronisering

• Utmärkt värmestabilitet

• Fri från sekundära avbrott

• Hög ingångsimpedans och hög förstärkning

• Drain-diod med integrerad källa

• Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter

• Låga effektkrav för drivning

• Driftstemperaturer mellan -55°C och 150°C

Användningsområden

• Förstärkare

• Omvandlare

• Drivdon: reläer, hammare, solenoider, lampor, minnen, displayer, bipolära transistorer etc.

• Motorstyrning

• Strömförsörjningskretsar

• Omkopplare

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC