Sök efter MPN

Infineon N Kanal, MOSFET, 127 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 915-5045
Tillv. art.nr:: IRFS4310ZTRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 127 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

155,90 kr

(exkl. moms)

194,876 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

316 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
4 - 16	38,975 kr	155,90 kr
20 - 36	36,988 kr	147,95 kr
40 - 96	35,475 kr	141,90 kr
100 - 196	33,095 kr	132,38 kr
200 +	31,22 kr	124,88 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 915-5045
Tillv. art.nr:: IRFS4310ZTRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	127A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	6mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	250W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	120nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.67mm
	Höjd	4.83mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	11.3mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 127A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 250W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 120nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.67mm
	Höjd 4.83mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 11.3mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.