Infineon 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
915-4951
Tillv. art.nr:
IRF7406TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V, -20V

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.5mm

Längd

5mm

Bredd

4mm

Antal element per chip

1

P-kanals Power MOSFET 30V, Infineon


Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar P-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade kapslingar och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar inom kortlayout och termisk design. Benchmark på motstånd i hela sortimentet minskar ledningsförluster, vilket gör det möjligt för konstruktörer att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.