Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- RS-artikelnummer:
- 897-7333
- Tillv. art.nr:
- IPW60R125CPFKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
144,59 kr
(exkl. moms)
180,738 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 72,295 kr | 144,59 kr |
| 10 - 18 | 65,855 kr | 131,71 kr |
| 20 - 48 | 61,49 kr | 122,98 kr |
| 50 - 98 | 57,175 kr | 114,35 kr |
| 100 + | 52,81 kr | 105,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 897-7333
- Tillv. art.nr:
- IPW60R125CPFKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 111 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS