Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-artikelnummer:
- 827-6233
- Tillv. art.nr:
- TK46A08N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 6 enheter)*
90,612 kr
(exkl. moms)
113,268 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 6 - 54 | 15,102 kr | 90,61 kr |
| 60 - 114 | 11,742 kr | 70,45 kr |
| 120 - 294 | 10,677 kr | 64,06 kr |
| 300 - 594 | 10,51 kr | 63,06 kr |
| 600 + | 10,21 kr | 61,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-6233
- Tillv. art.nr:
- TK46A08N1,S4X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | TK | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 15mm | |
| Längd | 10mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie TK | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 15mm | ||
Längd 10mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK