Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 58 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS™ 3

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
892-2273
Tillv. art.nr:
IPP126N10N3GXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Antal element per chip

1

Kanaltyp

N

Transistorkonfiguration

Enkel

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

58 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

100 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

3

Kapseltyp

TO-220

Serie

OptiMOS™ 3

Framåtriktad spänning (Vf)

1.2 V

Höjd

15.95 mm

Längd

10.36 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

23.5 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V, -20 V

Maximal arbetstemperatur

175 °C

Maximal effektförlust (Pd)

94 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Genomgående hål

Bredd

4.57 mm

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.