Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 58 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS™ 3
- RS-artikelnummer:
- 892-2273
- Tillv. art.nr:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 892-2273
- Tillv. art.nr:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 58 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 100 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.2 V | |
| Höjd | 15.95 mm | |
| Längd | 10.36 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 23.5 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 94 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Bredd | 4.57 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Antal element per chip 1 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 58 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 100 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.2 V | ||
Höjd 15.95 mm | ||
Längd 10.36 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 23.5 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 94 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Bredd 4.57 mm | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Relaterade länkar
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS™ 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
