Infineon 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 58 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS™ 3
- RS-artikelnummer:
- 892-2273
- Tillv. art.nr:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 892-2273
- Tillv. art.nr:
- IPP126N10N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 58A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20, -20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 15.95mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20, -20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Bredd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 15.95mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V och över
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS™ 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3