DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 9.6 A 35 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*

138,08 kr

(exkl. moms)

172,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 7 420 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +6,904 kr138,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
885-5482
Tillv. art.nr:
DMG4511SK4-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

35V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.8nC

Maximal effektförlust Pd

8.9W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Standarder/godkännanden

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101

Bredd

6.2mm

Höjd

2.39mm

Längd

6.7mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.