DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 9.6 A 35 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

8 937,50 kr

(exkl. moms)

11 172,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,575 kr8 937,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-8875
Tillv. art.nr:
DMG4511SK4-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

35V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

8.9W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.8nC

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.39mm

Längd

6.7mm

Standarder/godkännanden

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.