STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M2

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

785,30 kr

(exkl. moms)

981,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 230 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 24515,706 kr
250 - 49514,028 kr
500 +12,048 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
876-5623P
Tillv. art.nr:
STD13N65M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

430mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal effektförlust Pd

110W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.6mm

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

MDmeshTM M2-serien med N-kanal, STMicroelectronics


Ett sortiment av högspänningseffekts-MOSFET från STMicroelecronics. Med sin låga grindladdning och utmärkta utgångskapacitetsegenskaper är MDmesh M2-serien perfekt för användning i omkopplingsströmförsörjningar av resonanttyp (LLC-omvandlare).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.