onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C10N
- RS-artikelnummer:
- 867-3268
- Tillv. art.nr:
- NTMFS4C10NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
120,175 kr
(exkl. moms)
150,225 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 4,807 kr | 120,18 kr |
| 100 - 225 | 4,144 kr | 103,60 kr |
| 250 + | 3,593 kr | 89,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 867-3268
- Tillv. art.nr:
- NTMFS4C10NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS4C10N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 23.6W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8FL | ||
Serie NTMFS4C10N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 23.6W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.05mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C10N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 276 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 78 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C06N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS5C646NL
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 164 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 201 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 323 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS