onsemi N Kanal, MOSFET, 276 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- RS-artikelnummer:
- 842-7939
- Tillv. art.nr:
- NTMFS5C604NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 48,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
34,83 kr
(exkl. moms)
43,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 383 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 34,83 kr | - |
| 10 - 99 | 30,02 kr | 48,10 kr |
| 100 - 499 | 25,98 kr | 885,00 kr |
| 500 - 999 | 22,85 kr | 5 990,00 kr |
| 1000 + | 20,72 kr | 14 110,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 842-7939
- Tillv. art.nr:
- NTMFS5C604NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 276A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | NTMFS | |
| Kapseltyp | SO-8FL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 120nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 276A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie NTMFS | ||
Kapseltyp SO-8FL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 120nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.1mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 276 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 201 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 323 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 78 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 273 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 164 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 46 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C10N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 69 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C06N