onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, SuperFET
- RS-artikelnummer:
- 865-1230
- Tillv. art.nr:
- FCA20N60F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 865-1230
- Tillv. art.nr:
- FCA20N60F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 20 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 600 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-3PN | |
| Serie | SuperFET | |
| Höjd | 20.1 mm | |
| Längd | 16.2 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 190 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 30 V, -30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 208 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Bredd | 5 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 20 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 600 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-3PN | ||
Serie SuperFET | ||
Höjd 20.1 mm | ||
Längd 16.2 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 190 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 30 V, -30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 208 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Bredd 5 mm | ||
SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an Advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, SuperFET
- onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 47 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 23 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V