onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V
- RS-artikelnummer:
- 230-9089
- Tillv. art.nr:
- NTHL099N60S5
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
73,25 kr
(exkl. moms)
91,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 274 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 73,25 kr |
| 10 - 99 | 63,06 kr |
| 100 + | 54,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 230-9089
- Tillv. art.nr:
- NTHL099N60S5
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | SUPERFET V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 184W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Höjd | 41.07mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie SUPERFET V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 184W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.82mm | ||
Höjd 41.07mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor-serien SUPERFET V MOSFET är den femte generationen av högspännings-super-junction (SJ) MOSFET-familjen från ON Semiconductor. SUPERFET V levererar de bästa FOM:erna i sin klass (RDS(ON)·QG och RDS(ON)·EOSS) för att förbättra inte bara effektiviteten vid tung belastning utan även vid lätt belastning. 600 V SUPERET V-serien ger designfördelar genom minskade lednings- och omkopplingsförluster, samtidigt som den stöder extrema MOSFET dVDS/dt-värden vid 120 V/ns och höga kroppsdiod dVDS/dt-värden vid 50 V/ns. Följaktligen kombinerar SUPERFET V MOSFET Easy Drive-serien utmärkta omkopplingsprestanda utan att kompromissa med användarvänlighet för både hårda och mjuka omkopplingstopologier. Det hjälper till att hantera EMI-problem och möjliggör enklare designimplementering med utmärkt systemeffektivitet.
Ultralåg grindladdning (typ. Qg= 48 nC)
Låg omkopplingsförlust
Låg tidsrelaterad utgångskapacitans (typ. Coss(tr.)= 642 pF)
Låg omkopplingsförlust
Optimerad kapacitans
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
650 V vid TJ = 150 °C
Typiskt RDS(on) = 79,2 m Ω
100 % avalanche-testad
RoHS-märkt
Intern grindresistans: 6.9 Ω
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V
- onsemi N Kanal, MOSFET, 57 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V
- onsemi N Kanal, MOSFET, 77 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 76 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 62 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, SUPERFET III
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET