onsemi N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 864-7966
- Tillv. art.nr:
- FDB075N15A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
147,28 kr
(exkl. moms)
184,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 252 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 73,64 kr | 147,28 kr | - |
| 20 - 198 | 63,45 kr | 126,90 kr | 13% |
| 200 + | 54,99 kr | 109,98 kr | 25% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 864-7966
- Tillv. art.nr:
- FDB075N15A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 130A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 77nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.25V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 130A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 77nC | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.25V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 92 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 29 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 130 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 50 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench