onsemi N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-8955
- Tillv. art.nr:
- FDB2552
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
56,45 kr
(exkl. moms)
70,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 540 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 28,225 kr | 56,45 kr |
| 20 - 198 | 24,305 kr | 48,61 kr |
| 200 + | 21,055 kr | 42,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-8955
- Tillv. art.nr:
- FDB2552
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 37A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 97mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 11.33mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 97mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 11.33mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MOSFET för fordonsindustrin, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig kunskap om kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 29 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 92 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 62 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 50 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench