onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, SuperFET II
- RS-artikelnummer:
- 864-7925
- Tillv. art.nr:
- FCPF400N80Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
204,29 kr
(exkl. moms)
255,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 220 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 40,858 kr | 204,29 kr |
| 50 - 95 | 34,788 kr | 173,94 kr |
| 100 + | 27,956 kr | 139,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 864-7925
- Tillv. art.nr:
- FCPF400N80Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220F | |
| Serie | SuperFET II | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 35.7W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 16.07mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220F | ||
Serie SuperFET II | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 35.7W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 16.07mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Bredd 4.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SuperFET® och SuperFET® II N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild har lagt till SuperFET® II-familjen av MOSFET:er för högspänningseffekt med Super Junction-teknik. Den ger klassledande prestanda för robusta dioder i AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS), t.ex. servrar, telekom, datorer, industriell strömförsörjning, UPS/ESS, solcellsinverterare och belysningsapplikationer, som kräver hög effekttäthet, systemeffektivitet och tillförlitlighet.
Med hjälp av en avancerad laddningsbalanseringsteknik kan konstruktörerna uppnå mer effektiva, kostnadseffektiva och högpresterande lösningar som tar mindre plats på kretskortet och förbättrar tillförlitligheten.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 76 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 77 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, QFET