onsemi N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- RS-artikelnummer:
- 172-3425
- Tillv. art.nr:
- FCP190N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 172-3425
- Tillv. art.nr:
- FCP190N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | SuperFET II | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 144W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 16.3mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie SuperFET II | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 144W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 16.3mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
SuperFET® III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SuperFET III MOSFET mycket lämplig för olika kraftsystem för miniatyrisering och högre effektivitet.
700 V vid TJ = 150 oC
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 30 nC)
Lägre omkopplingsförlust
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 277 pF)
Lägre omkopplingsförlust
Optimerad kapacitans
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Intern grindresistans: 7,0 ohm
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Typiskt RDS(on) = 170 mΩ
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SUPERFET III
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 77 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 76 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II