onsemi N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- RS-artikelnummer:
- 864-7893
- Tillv. art.nr:
- FCP104N60F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
43,23 kr
(exkl. moms)
54,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Dessutom levereras 4 enhet(er) från den 09 november 2026
- Sista 67 enhet(er) levereras från den 16 november 2026
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 43,23 kr | - |
| 10 + | 37,41 kr | 13% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 864-7893
- Tillv. art.nr:
- FCP104N60F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 37A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 104mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 357W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Höjd | 15.215mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Bredd | 4.672mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SuperFET II | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 104mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 357W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Höjd 15.215mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Bredd 4.672mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SuperFET® och SuperFET® II N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild har lagt till SuperFET® II-familjen av MOSFET:er för högspänningseffekt med Super Junction-teknik. Den ger klassledande prestanda för robusta dioder i AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS), t.ex. servrar, telekom, datorer, industriell strömförsörjning, UPS/ESS, solcellsinverterare och belysningsapplikationer, som kräver hög effekttäthet, systemeffektivitet och tillförlitlighet.
Med hjälp av en avancerad laddningsbalanseringsteknik kan konstruktörerna uppnå mer effektiva, kostnadseffektiva och högpresterande lösningar som tar mindre plats på kretskortet och förbättrar tillförlitligheten.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 76 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 77 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SuperFET II
- onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 4.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), SuperFET II
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, SuperFET II