onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET
- RS-artikelnummer:
- 864-4923
- Tillv. art.nr:
- FCB11N60TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
15 912,80 kr
(exkl. moms)
19 891,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 19,891 kr | 15 912,80 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Varje
41,30 kr
(exkl. moms)
51,62 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 864-4923
- Tillv. art.nr:
- FCB11N60TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SuperFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 380mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SuperFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 380mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SuperFET® och SuperFET® II N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild har lagt till SuperFET® II-familjen av MOSFET:er för högspänningseffekt med Super Junction-teknik. Den ger klassledande prestanda för robusta dioder i AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS), t.ex. servrar, telekom, datorer, industriell strömförsörjning, UPS/ESS, solcellsinverterare och belysningsapplikationer, som kräver hög effekttäthet, systemeffektivitet och tillförlitlighet.
Med hjälp av en avancerad laddningsbalanseringsteknik kan konstruktörerna uppnå mer effektiva, kostnadseffektiva och högpresterande lösningar som tar mindre plats på kretskortet och förbättrar tillförlitligheten.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET och diod, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUPERFET III
- onsemi N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET III MOSFET Easy-drive AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V
- onsemi N Kanal, MOSFET, 57 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SuperFET II