Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 5.6 A 20 V Förbättring, 2 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7501
- Tillv. art.nr:
- IRLMS6802TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 220-7501
- Tillv. art.nr:
- IRLMS6802TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 2 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 3mm | |
| Bredd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 2 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 3mm | ||
Bredd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons P-kanal MOSFET från International Rectifier använder avancerade bearbetningstekniker för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Denna fördel ger designern en extremt effektiv enhet för användning i batteri- och belastningshanteringstillämpningar. Micro6-paketet med sin anpassade ledningsram ger en HEXFET®-effekt-MOSFET med RDS(on) 60 % mindre än en liknande storlek SOT-23. Detta paket är idealiskt för tillämpningar där utrymmet på kretskortet är avgörande. Den unika termiska designen och RDS(on)-reduceringen möjliggör en ökning av strömhanteringen med nästan 300 % jämfört med SOT-23.
Ultra låg på-resistans
P-kanal MOSFET
Ytmontering
Finns i tejp och rulle
Blyfri
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 5.6 A 20 V Förbättring, 2 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 73 A 100 V Förbättring, 2 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 38 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET