STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh K5, SuperMESH5
- RS-artikelnummer:
- 829-7075
- Tillv. art.nr:
- STD2N95K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
98,78 kr
(exkl. moms)
123,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,756 kr | 98,78 kr |
| 50 - 245 | 16,082 kr | 80,41 kr |
| 250 - 495 | 12,248 kr | 61,24 kr |
| 500 + | 10,866 kr | 54,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 829-7075
- Tillv. art.nr:
- STD2N95K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM K5-serien, SuperMESH5TM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
