Toshiba N Kanal, MOSFET, 60 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-artikelnummer:
- 827-6191
- Tillv. art.nr:
- TK32E12N1,S1X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
75,60 kr
(exkl. moms)
94,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,12 kr | 75,60 kr |
| 50 - 95 | 13,62 kr | 68,10 kr |
| 100 - 245 | 12,948 kr | 64,74 kr |
| 250 - 495 | 11,468 kr | 57,34 kr |
| 500 + | 10,774 kr | 53,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-6191
- Tillv. art.nr:
- TK32E12N1,S1X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Serie | TK | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 98W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.45mm | |
| Längd | 10.16mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 15.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Serie TK | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 98W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.45mm | ||
Längd 10.16mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 15.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET N-kanal, TK3x-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 60 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 72 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 56 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 42 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 105 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK