Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- RS-artikelnummer:
- 827-6167
- Tillv. art.nr:
- TK20N60W,S1VF(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
113,57 kr
(exkl. moms)
141,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 enhet(er) levereras från den 30 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 56,785 kr | 113,57 kr |
| 20 - 38 | 48,33 kr | 96,66 kr |
| 40 - 72 | 42,45 kr | 84,90 kr |
| 74 - 148 | 40,095 kr | 80,19 kr |
| 150 + | 39,09 kr | 78,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-6167
- Tillv. art.nr:
- TK20N60W,S1VF(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | TK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 155mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 165W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.94mm | |
| Höjd | 20.95mm | |
| Bredd | 5.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie TK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 155mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal effektförlust Pd 165W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.94mm | ||
Höjd 20.95mm | ||
Bredd 5.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET N-kanal, TK2x-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 9.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
