Toshiba N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-artikelnummer:
- 827-6113
- Tillv. art.nr:
- TK12E60W,S1VX(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
139,44 kr
(exkl. moms)
174,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 20 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 27,888 kr | 139,44 kr |
| 25 - 45 | 22,356 kr | 111,78 kr |
| 50 - 120 | 20,384 kr | 101,92 kr |
| 125 - 245 | 18,682 kr | 93,41 kr |
| 250 + | 16,756 kr | 83,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 827-6113
- Tillv. art.nr:
- TK12E60W,S1VX(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | TK | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.16mm | |
| Höjd | 15.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie TK | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.16mm | ||
Höjd 15.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 9.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 15.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK