Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 134 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
827-4886
Tillv. art.nr:
CSD18531Q5A
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

134A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SON

Serie

NexFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Maximal effektförlust Pd

3.1W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5.8mm

Bredd

5mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal NexFETTM effekt-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-transistorer, Texas Instruments


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.