Infineon Typ P Kanal, Effekttransistor, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- RS-artikelnummer:
- 826-9109P
- Tillv. art.nr:
- IPD50P04P413ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
357,95 kr
(exkl. moms)
447,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 225 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 100 | 7,159 kr |
| 125 - 225 | 6,702 kr |
| 250 - 600 | 6,241 kr |
| 625 + | 5,784 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-9109P
- Tillv. art.nr:
- IPD50P04P413ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekttransistor | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 58W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekttransistor | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 58W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q | ||
RoHS-status: Inte relevant
Infineon OptiMOS™P P-kanaliga effekt-MOSFET:er
Anoden Infineon OptiMOS™ P-kanaliga effekt-MOSFET:er är konstruerade för att ge förbättrade funktioner med kvalitetsprestanda. Bland egenskaperna finns ultralåg switchförlust, on-state-resistans, lavinklassning samt AEC-kvalificering för lösningar inom fordonsindustrin. Applikationerna omfattar likström, motorstyrning, fordonsindustri och eMobility.
Förbättringsläge
Avalanche-klassad
Låga effektförluster vid växling och ledning
Pb-fri blyplätering; RoHS-kompatibel
Standardpaket
OptiMOS™ P-kanalsserie: Temperaturområde från -55°C till +175°C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.