DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMN601TK AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 822-2595
- Tillv. art.nr:
- DMN601TK-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
273,10 kr
(exkl. moms)
341,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 2,731 kr | 273,10 kr |
| 500 - 900 | 2,065 kr | 206,50 kr |
| 1000 - 1400 | 1,677 kr | 167,70 kr |
| 1500 - 2900 | 1,447 kr | 144,70 kr |
| 3000 + | 1,308 kr | 130,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 822-2595
- Tillv. art.nr:
- DMN601TK-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SC-89 | |
| Serie | DMN601TK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.7mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SC-89 | ||
Serie DMN601TK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.7mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMN601TK AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMG1012T-7 AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100,
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 460 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMG1013T AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 230 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 380 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN53D0LW AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
