DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
822-2542
Tillv. art.nr:
DMN2016UTS-13
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

TSSOP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

16.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Maximal effektförlust Pd

880mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.5nC

Framåtriktad spänning Vf

650mV

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Längd

4.5mm

Höjd

1.025mm

Bredd

3.1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-transistorer, inbyggda dioder


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.