DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7357
- Tillv. art.nr:
- DMP2021UTS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
61,38 kr
(exkl. moms)
76,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,138 kr | 61,38 kr |
| 100 - 490 | 4,906 kr | 49,06 kr |
| 500 - 990 | 4,48 kr | 44,80 kr |
| 1000 - 1990 | 3,786 kr | 37,86 kr |
| 2000 + | 3,506 kr | 35,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7357
- Tillv. art.nr:
- DMP2021UTS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | TSSOP | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp TSSOP | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.02mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low Gate Threshold Voltage
Low On-Resistance
ESD Protected Gate
Applications
Battery Management Application
Power Management Functions
DC-DC Converters
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7.4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 18.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 55 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, DMP AEC-Q101