DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.38 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 822-2510
- Tillv. art.nr:
- DMG1024UV-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
107,30 kr
(exkl. moms)
134,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 650 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 550 | 2,146 kr | 107,30 kr |
| 600 - 1450 | 1,167 kr | 58,35 kr |
| 1500 + | 0,878 kr | 43,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 822-2510
- Tillv. art.nr:
- DMG1024UV-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.38A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-563 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 736.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 530mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Längd | 1.7mm | |
| Höjd | 0.6mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.38A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-563 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 736.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 530mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Längd 1.7mm | ||
Höjd 0.6mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 1.38 A 20 V Förbättring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 260 mA 30 V Förbättring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 280 mA 60 V Förbättring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Effekt-MOSFET 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad 1.33 A 20 V Förbättring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N MOSFET 6 Ben AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel 1.03 A 20 V Förbättring SOT-563, DMG1023 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal 6 Ben, SOT-563
