Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

99,46 kr

(exkl. moms)

124,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 120 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1804,973 kr99,46 kr
200 - 4804,676 kr93,52 kr
500 - 9804,228 kr84,56 kr
1000 - 19803,976 kr79,52 kr
2000 +3,73 kr74,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
819-3908
Tillv. art.nr:
SQ2301ES-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

SQ Rugged

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

180mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal effektförlust Pd

3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.02mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Längd

3.04mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal MOSFET, SQ Rugged-serien, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.