Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008PBKW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 816-0582
- Tillv. art.nr:
- NX3008PBKW,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 150 enheter)*
131,10 kr
(exkl. moms)
163,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 150 enhet(er) levereras från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 150 - 150 | 0,874 kr | 131,10 kr |
| 300 - 600 | 0,829 kr | 124,35 kr |
| 750 - 1350 | 0,788 kr | 118,20 kr |
| 1500 - 2850 | 0,623 kr | 93,45 kr |
| 3000 + | 0,50 kr | 75,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 816-0582
- Tillv. art.nr:
- NX3008PBKW,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | NX3008PBKW | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.55nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 830mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie NX3008PBKW | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.55nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal effektförlust Pd 830mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008PBKW AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 150 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84AKW AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, PMF170XP
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002BKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008NBKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002PW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138BKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138PW AEC-Q101
