Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, PMF170XP
- RS-artikelnummer:
- 103-8120
- Tillv. art.nr:
- PMF170XP,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 827,00 kr
(exkl. moms)
2 283,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 54 000 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 12 000 enhet(er) från den 29 september 2026
- Dessutom levereras 27 000 enhet(er) från den 11 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,609 kr | 1 827,00 kr |
| 9000 + | 0,594 kr | 1 782,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-8120
- Tillv. art.nr:
- PMF170XP,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | PMF170XP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.67W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie PMF170XP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.67W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, PMF170XP
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008PBKW AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 150 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84AKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002BKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, NX3008NBKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 310 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002PW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138BKW AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138PW AEC-Q101
