Vishay N Kanal, MOSFET, 8.1 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF840S

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 172,10 kr

(exkl. moms)

1 465,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 9023,442 kr
100 - 24021,19 kr
250 - 49019,947 kr
500 +18,704 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
815-2657P
Tillv. art.nr:
SIHF840STRL-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

SiHF840S

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

850mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.67mm

Höjd

4.83mm

Bredd

9.65mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.