Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET

Antal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

26,40 kr

(exkl. moms)

33,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 920 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
20 +1,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1213P
Tillv. art.nr:
SIA449DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SOT-363

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.038Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23.1nC

Maximal effektförlust Pd

19W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.8mm

Längd

2.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

2.15mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.