Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4599DY
- RS-artikelnummer:
- 812-3233
- Tillv. art.nr:
- SI4599DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
52,80 kr
(exkl. moms)
66,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 560 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 2,64 kr | 52,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 812-3233
- Tillv. art.nr:
- SI4599DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | Si4599DY | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.045Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC JS709A, RoHS | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.55mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie Si4599DY | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.045Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal effektförlust Pd 3.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC JS709A, RoHS | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.55mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4599DY
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET