Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4599DY

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
165-7255
Tillv. art.nr:
SI4599DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOIC

Serie

Si4599DY

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.045Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

3.1W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

1.55mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

JEDEC JS709A, RoHS

Bredd

4mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.