onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 6.2 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UniFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

84,78 kr

(exkl. moms)

105,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 600 enhet(er) från den 26 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 908,478 kr84,78 kr
100 - 2407,314 kr73,14 kr
250 - 4906,339 kr63,39 kr
500 - 9905,578 kr55,78 kr
1000 +5,062 kr50,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
809-0931
Tillv. art.nr:
FDD7N25LZTM
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Serie

UniFET

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

570mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

56W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.39mm

Bredd

6.22 mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

Nej

UniFET™ N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET är Fairchild Semiconductors MOSFET-familj för högspänning. Den har det minsta on-state-motståndet bland de plana MOSFET:erna och ger också överlägsen switchprestanda och högre lavinenergistyrka. Dessutom gör den interna ESD-dioden i gate-source att UniFET-II™ MOSFET klarar över 2000 V HBM-överspänning.

UniFET™ MOSFETs är lämpliga för applikationer med switchande effektomvandlare, t.ex. effektfaktorkorrigering (PFC), TV-strömförsörjning till plattskärmar (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) och elektroniska lampballaster.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar