onsemi N Kanal, MOSFET, 6.2 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, UniFET

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 13%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 10 enheter)*

67,82 kr

(exkl. moms)

84,78 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per tejp*
Besparing
10 - 906,782 kr67,82 kr-
100 - 2405,853 kr58,53 kr13%
250 - 4905,073 kr50,73 kr25%
500 - 9904,463 kr44,63 kr34%
1000 +4,049 kr40,49 kr40%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
809-0931
Tillv. art.nr:
FDD7N25LZTM
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

TO-252

Serie

UniFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

570mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal effektförlust Pd

56W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.39mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Fordonsstandard

Nej

UniFET™ N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET är Fairchild Semiconductors MOSFET-familj för högspänning. Den har det minsta on-state-motståndet bland de plana MOSFET:erna och ger också överlägsen switchprestanda och högre lavinenergistyrka. Dessutom gör den interna ESD-dioden i gate-source att UniFET-II™ MOSFET klarar över 2000 V HBM-överspänning.

UniFET™ MOSFETs är lämpliga för applikationer med switchande effektomvandlare, t.ex. effektfaktorkorrigering (PFC), TV-strömförsörjning till plattskärmar (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) och elektroniska lampballaster.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar