onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, UniFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

107,52 kr

(exkl. moms)

134,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 04 maj 2026
  • Dessutom levereras 106 enhet(er) från den 11 maj 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.

Enheter
Per enhet
1 - 9107,52 kr
10 +92,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
806-3438
Tillv. art.nr:
FDH44N50
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

44A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

UniFET

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

120mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

90nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

750W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

20.82mm

Längd

15.87mm

Fordonsstandard

Nej

UniFET™ N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET är Fairchild Semiconductors MOSFET-familj för högspänning. Den har det minsta on-state-motståndet bland de plana MOSFET:erna och ger också överlägsen switchprestanda och högre lavinenergistyrka. Dessutom gör den interna ESD-dioden i gate-source att UniFET-II™ MOSFET klarar över 2000 V HBM-överspänning.

UniFET™ MOSFETs är lämpliga för applikationer med switchande effektomvandlare, t.ex. effektfaktorkorrigering (PFC), TV-strömförsörjning till plattskärmar (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) och elektroniska lampballaster.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar