onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 20 enheter)*

86,70 kr

(exkl. moms)

108,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 780 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per tejp*
20 - 1804,335 kr86,70 kr
200 - 4803,735 kr74,70 kr
500 - 9803,237 kr64,74 kr
1000 - 19802,851 kr57,02 kr
2000 +2,593 kr51,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
809-0862
Tillv. art.nr:
FDC654P
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

PowerTrench

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.2nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.7 mm

Längd

3mm

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar