onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 809-0856
- Tillv. art.nr:
- FDC640P
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 20 enheter)*
101,70 kr
(exkl. moms)
127,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 980 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 5,085 kr | 101,70 kr |
| 200 - 480 | 4,382 kr | 87,64 kr |
| 500 - 980 | 3,80 kr | 76,00 kr |
| 1000 - 1980 | 3,338 kr | 66,76 kr |
| 2000 + | 3,042 kr | 60,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 809-0856
- Tillv. art.nr:
- FDC640P
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.7 mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12 V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.7 mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.
De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.
PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.