onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 809-0809
- Tillv. art.nr:
- FDB050AN06A0
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
74,70 kr
(exkl. moms)
93,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 496 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 37,35 kr | 74,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 809-0809
- Tillv. art.nr:
- FDB050AN06A0
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 229 A 80 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 50 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 92 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 62 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench