onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 809-0809
- Tillv. art.nr:
- FDB050AN06A0
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
17,20 kr
(exkl. moms)
21,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 604 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 8,60 kr | 17,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 809-0809
- Tillv. art.nr:
- FDB050AN06A0
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 229 A 80 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench