onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 808-0060
- Tillv. art.nr:
- NTR1P02LT3G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 200 enheter)*
332,20 kr
(exkl. moms)
415,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- Dessutom levereras 7 800 enhet(er) från den 28 september 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 1,661 kr | 332,20 kr |
| 400 - 800 | 1,528 kr | 305,60 kr |
| 1000 - 1800 | 1,436 kr | 287,20 kr |
| 2000 + | 1,321 kr | 264,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 808-0060
- Tillv. art.nr:
- NTR1P02LT3G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12, +12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12, +12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.01mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84L AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BVSS8L AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS331
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
