onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BVSS8L AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 184-4197
- Tillv. art.nr:
- BVSS84LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 910,00 kr
(exkl. moms)
3 630,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- 18 000 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,97 kr | 2 910,00 kr |
| 9000 - 42000 | 0,831 kr | 2 493,00 kr |
| 45000 - 96000 | 0,798 kr | 2 394,00 kr |
| 99000 + | 0,778 kr | 2 334,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 184-4197
- Tillv. art.nr:
- BVSS84LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 130mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Serie | BVSS8L | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 225mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 130mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Serie BVSS8L | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 225mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.01mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Automotive Power MOSFET idealisk för tillämpningar med låg effekt. -50 V -130 mA 10 Ohm Enkel P-kanal SOT-23-logiknivå. PPAP-kompatibel, lämplig för fordonstillämpningar.
AEC-godkända
PPAP-kapacitet
Miniature SOT-23 ytmonterat hölje sparar utrymme på kortet
MOSFET-moduler för fordon
Användningsområden
DC/DC-omvandlare
Lastväxling
Strömhantering i bärbara och batteridrivna produkter som datorer, skrivare, mobiltelefoner och sladdlösa telefoner
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BVSS8L AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84L AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 3.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101