Nexperia N Kanal, MOSFET, 82 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

107,30 kr

(exkl. moms)

134,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 965 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +21,46 kr107,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
798-3031
Tillv. art.nr:
PSMN8R2-80YS,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

82A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

SOT-669

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

13.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

55nC

Maximal effektförlust Pd

130W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Bredd

4.1mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.