Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 798-2996
- Tillv. art.nr:
- PSMN5R5-60YS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
96,77 kr
(exkl. moms)
120,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,354 kr | 96,77 kr |
| 50 - 120 | 17,786 kr | 88,93 kr |
| 125 - 245 | 16,756 kr | 83,78 kr |
| 250 - 495 | 15,412 kr | 77,06 kr |
| 500 + | 14,202 kr | 71,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2996
- Tillv. art.nr:
- PSMN5R5-60YS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 130W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.1mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 130W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.1mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669