Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669

Antal (1 rulle med 1500 enheter)*

10 207,50 kr

(exkl. moms)

12 759,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1500 +6,805 kr10 207,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-0113
Tillv. art.nr:
PSMN1R7-30YL,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-669

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

2.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

77.9nC

Maximal effektförlust Pd

109W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.1mm

Längd

5mm

Bredd

4.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-kanalig MOSFET, upp till 30V


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.