Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*

100,35 kr

(exkl. moms)

125,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 13 415 enhet(er) levereras från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4520,07 kr100,35 kr
50 - 12018,39 kr91,95 kr
125 - 24517,428 kr87,14 kr
250 - 49515,882 kr79,41 kr
500 +14,65 kr73,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
798-2906
Tillv. art.nr:
PSMN1R2-30YLC,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-669

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

1.65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

78nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Maximal effektförlust Pd

215W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Höjd

1.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-kanalig MOSFET, upp till 30V


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.