Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 798-2906
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R2-30YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
100,35 kr
(exkl. moms)
125,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 13 415 enhet(er) levereras från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 20,07 kr | 100,35 kr |
| 50 - 120 | 18,39 kr | 91,95 kr |
| 125 - 245 | 17,428 kr | 87,14 kr |
| 250 - 495 | 15,882 kr | 79,41 kr |
| 500 + | 14,65 kr | 73,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2906
- Tillv. art.nr:
- PSMN1R2-30YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 215W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.1mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 215W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.1mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669