Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 798-2895
- Tillv. art.nr:
- PSMN0R9-25YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 3 enheter)*
81,09 kr
(exkl. moms)
101,37 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 107 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 3 - 27 | 27,03 kr | 81,09 kr |
| 30 - 72 | 24,863 kr | 74,59 kr |
| 75 - 147 | 23,297 kr | 69,89 kr |
| 150 - 297 | 21,467 kr | 64,40 kr |
| 300 + | 19,713 kr | 59,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2895
- Tillv. art.nr:
- PSMN0R9-25YLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.25mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 272W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.25mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 272W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 59 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669